Samsung Electronics, leader mondiale nello sviluppo di sofisticate tecnologie di memoria a semiconduttore, ha annunciato oggi di aver avviato la produzione in volumi di 64 strati per le memorie V-NAND Flash da 256GB, da utilizzarsi come espansione della line-up di storage solution su server, PC e applicazioni mobile.
Samsung ha iniziato a produrre il suo primo SSD basato sulla stratificazione 64-layer per chip 256GB V-NAND a Gennaio 2017 per i clienti IT, attivandosi a favore della creazione di una vasta gamma di nuove soluzioni di archiviazione mobile e consumer basate su processo V-NAND. Dette soluzioni includono tecnologie di memoria mobile integrate di tipo UFS, SSD e schede di memoria esterne, che la società prevede di introdurre entro la fine dell’anno.
Per consolidare la propria competitività nel settore, la società intende portarsi alla fase di produzione dei chip V-NAND 64-layer, indicato come la quarta generazione V-NAND. Soluzioni che andranno a coprire, entro l’anno, oltre il 50% del volume mensile di produzione nel comparto V-NAND Flash Memory.
Kye Hyun Kyung, Executive Vice Presidente del comparto Flash e Capo Esecutivo della sezione Memory Business di Samsung Electronics, ha riferito che:
“A seguito di un lungo impegno per la realizzazione di una tecnologia veramente innovativa, saremo in grado di oltrepassare i limiti imposti attualmente dal settore V-NAND, contribuendo allo sviluppo della nuova era del V-NAND Terabit. Continueremo a sviluppare prodotti V-NAND di prossima generazione in sincronia con il settore Global IT , in modo da portarci al lancio di nuovi sistemi e servizi che garantiscano un più alto livello di soddisfazione ai consumatori”
La velocità di trasferimento dei nuovi moduli di memoria V-NAND 256GB a 64 strati riporta il dato di 1Gbps, ben oltre l’attuale limite imposto dalla tecnologia. Inoltre, il nuovo sistema V-NAND riduce considerevolmente il tempo di processing per il Program Page (tProg) portandosi al valore di di 500 microsecondi (㎲) nelle interazioni di memoria, il che si traduce in un’interazione quattro volte più veloce rispetto a quella registrata dal valore tipico di una classe di prodotti a 10 nanometri.
Un dato che, all’atto pratico, consente al nuovo sistema di memoria NAND di realizzare un incremento in velocità di 1,5X rispetto ai sistemi 48-layer 3 bit Flash 256GB V-NAND di Samsung. L’azienda si aspetta che l’industria si concentri sul rendimento e l’affidabilità dei chip di memoria, piuttosto che sulla folle corsa all’estrema miniaturizzazione dei microchip.
Il guadagno in termini di produttività stimata sarà del 30% in più rispetto alle attuali soluzioni a 48 layer. Inoltre, i nuovi sistemi 64-layer garantiranno soglie di tensione di ingresso per la circuiteria di 2.5V, contro gli attuali 3.3V previsti dalla classe 48-layer. In tal caso, l’efficienza sul fronte energetico sarà assicurata, senza contare un +20% di miglioramento in termini di affidabilità.
Samsung Chip sta realizzando questi miglioramenti tenendo conto di alcune modifiche specifiche nei processi di fabbricazione delle componenti. In primo luogo, il costruttore ha previsto la realizzazione di canali ed array multipli che riducono al minimo le perdite di elettroni.
Questa sfida ha previsto una nuova fase di studio della struttura, in luogo di difficoltà specifiche incontrate con il sopraggiungere dei nuovi layer stratificati ed i fori per i canali di comunicazione tra gli strati superiori ed inferiori delle celle, senza contare il fattore stabilità dovuto al peso delle singole componenti.
Un’altra sfida importante è stata affrontata anche per quanto concerne la realizzazione degli strati multipli su base 3D CTF , per i quali si è dovuta prevedere la distribuzione omogenea di una sostanza anatomicamente sottile e non conduttiva, da utilizzarsi per la creazione di micro celle che garantissero maggiore affidabilità e prestazioni.
Dall’alto dei suoi 15 anni di esperienza nel settore, Samsung Semiconductor ha garantito la concessione di oltre 500 brevetti volti all’implementazione di tecnologie ormai essenziali. Nel comparto memoria, la società si è assicurata la componente fondamentale per la produzione di chip V-NAND che anticipano il futuro di una tecnologia all’avanguardia, in cui la capacità computazionale base-Terabit consentirà prestazioni eccezionali, in luogo di un piano che preveda la creazione dei prossimi sistemi a 90-layer.
