Samsung Electronics ha presentato i suoi top di gamma Galaxy S8 e Galaxy S8+ Plus lo scorso 29 Marzo 2017 nell’arena di New York, dove si sono potute osservare tutte le ottimizzazioni imposte da un processo che fa della continuità di design e della sicurezza i capisaldi della nuova tecnologia smartphone 2017.
Nel corso di queste ultime settimane, che seguono una presentazione dai toni decisamente alti, abbiamo avuto modo di sperimentare da vicino le nuove ottimizzazioni, sia sotto il profilo costruttivo che di quello puramente tecnico. Ciò che è emerso, in particolare, fa riferimento ad alcune differenze riscontrate in termini di prestazioni ed affidabilità.
Dopo aver visto come alcune unità d’oltreoceano incorrano in riavvii multipli spontanei durante il giorno, affrontiamo anche la questione delle memorie, e della netta differenza che intercorre tra le varianti US e quelli Europee del terminale. 
Nello specifico, Samsung Galaxy S8 Exynos può contare su risultati in benchmark decisamente più rassicuranti delle controparti Snapdragon per la lettura e la scrittura in memoria interna. Le line-up europee, di fatto, registrano 780MB/s in lettura e 190MB/s in scrittura, grazie all’utilizzo dei prestanti moduli UFS 2.1.
Le varianti americane, invece, non riescono ad eguagliare i terminali europei, proprio a causa della prevista implementazione in standard UFS 2.0, che garantisce il limite delle prestazioni imposte dai 550MB/s in lettura e 140MB/s in scrittura.
Ovviamente, va considerato che tali discrepanze non incidono marcatamente sull’esperienza finale di utilizzo, viste e considerate le prestazioni generali dei telefoni. Le differenze prestazionali, in questo caso, non sono apprezzabili.
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